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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 多晶矽元件對於 LPCVD 氮化矽沉積的影響 - Semicondutor Magazine
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日期：2024-07-09
氮化矽 (SiN)的低壓化學汽相沉積（LPCVD）是製造進階積體電路的一個必須步驟。晶圓送入溫度超過 700 攝氏度的沉積爐後，在爐內化學反應的作用下，SiN 薄膜就沉積在晶圓上。此加工步驟需要以下資源：沉積爐、熔爐維護、加工材料、氣體、元件、人工 ......看更多
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