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感應耦合電漿離子矽蝕刻系統(ICP System)
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日期：2024-08-08
建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈
為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF
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