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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 半導體濕式清洗製程臭氧水安全風險考量 - Semicondutor Magazine
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日期：2024-07-14
隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，於晶圓清洗後要求於其表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼式製程，達到產能大及氧化層厚度快速形成為主流；但半導體廠以往著重探討相關製程化學 ......看更多
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