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越吟有限公司:文章摘要
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日期:2024-07-08
回到上一頁 【半導體材料】功率半導體用碳化矽(SiC)磊晶矽晶圓之動向 [ 本篇摘要 ] 摘要 以落實碳化矽功率半導體的實用化為主要目的,使用直徑4吋矽晶圓偏軸角4度的矽基板開發量產技術。目前,因為基板結晶上的缺陷降低,加上各種磊晶成長條件與 ......看更多