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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 評估IC良率損失的新範例 - Semicondutor Magazine
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日期：2024-08-24
Dennis Ciplickas, Sherry F. Lee, Andzdj J. Strojwasb> / PDF Solutions Inc., San Jose, California 良率損失有絕大部份曾經為關鍵區域的函數，但現在正逐漸地取決於例如接觸孔(contacts)與引洞(vias)的關鍵圖案。將這些型態的良率損失予以特性化是一項 ......看更多
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