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日期：2024-07-14
另一方面，近年來，通態電阻低並且散熱性好的碳化矽零組件，發展迅速。碳化矽的寬能帶隙為矽的2.8倍，達到3.09電子伏特。其絕緣強度為矽的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是矽的3.3倍，為49w/cm.k，因此其被視為下一世代半導體功率元件的主要材料。...看更多
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