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電 晶 體 電 路 概 念 Philippe Weng 2004
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日期：2024-07-31
電晶體特性參數: H參數：主要參數為輸入阻抗Hie/放大增益Hfe/輸出阻抗Hoe (電路工作頻率30MC以下, ... 電容C1係用以補償因Q4 B-E間散佈電容存在, 所產生之高速脈波前緣延滯現象. 設計上注意: 由於電感L1充放電作用, Q4 Vce需能承受Vcc兩倍電壓,...看更多
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