超臨界流體協會電子報

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日期:2024-07-13
此領域之研發並不普遍,但不會排除使用活性組成物溶於超臨界流體中蝕刻矽,SiO2或金屬SCCO2蝕刻之潛在優勢乃有低黏度與高擴散性形成之強化蝕刻速率。 四、作為金屬蝕刻介質之超臨界CO2 傳統蝕刻製程,如RIE,利用高活性組成物之直接導引線束 ......看更多