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不同位置之電子阻擋層對1310-nm磷砷化鎵銦 雷射二極體之影響
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日期:2024-10-12
擋層,可加入電子或電洞之阻擋層 來抑制載子離開活 性區,使載子可以有效侷限於活性區中。過去曾有文 獻提出在InGaAsP/InP 材料系統中,改變不同的能障 材料來改變井內對載子不同的侷限能力,並且在光侷 ......看更多