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不同位置之電子阻擋層對1310-nm磷砷化鎵銦雷射二極體之影響
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日期:2024-08-06
... ,亦可能提高 free carrier absorption 。另外一個方法就是加入載子之阻擋層,可加入電子或電洞之阻擋層來抑制載子離開活性區,使載子可以有效侷限於活性區中。...看更多