半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 應用於22nm間隙壁自對準雙圖案製程之DUV檢視和缺陷成因分析 - Semicondutor Magazine

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日期:2024-07-08
3>間隙壁自對準雙圖案法(Spacer Self-Aligned Double-Patterning, SADP)提供了一個在雙微影蝕刻(litho-etch-litho-etch)雙圖案微影技術上,減輕依賴 mask1與mask2重疊精準度的解決方案。然而SADP的製程順序帶給缺陷檢測額外的挑戰,因此具有較高的良率 ......看更多