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工業技術研究院 - 技術成果 - 電阻式記憶體技術

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日期：2024-07-17
3.利用ALD在薄膜成份與厚度的控制能力，有效的舒緩電阻式記憶體所需的生成電壓(Forming voltage) 。 優異的記憶體特性使得團隊的成果更進一步獲得2009 VLSI(積體電子領域最為重要會議)及2009 IEDM(電子元件領域最為重要會議)的肯定。不僅讓工研院在發展 ......看更多

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