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![應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - 半導體科技](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_40.jpeg)
應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - 半導體科技
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日期:2024-08-01
然而,於選擇合適的金屬閘極時,有效功函數(effective work function)的控制為最重要 ... 閘極NMOS金屬堆疊,採用薄TiN層與Ti/Al混合物以設定正確的有效功函數[9] 。...看更多