FIB (Focused Ion Beam)介紹-基本原理

FIB (Focused Ion Beam)介紹-基本原理

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日期:2024-08-10
FIB點選擇指導方針:(ex.1P5M) 儘量選擇上層的Metal(M5): 因為上層Metal所需的連接孔深度較淺,如此可有較低電阻. 若最上層沒有做CMP或蓋Ployimide,因護層(passivation)上有一些高低落差,如此在FIB影像可直接看到Metal的位置,較 易施工,不需額外處理.(在金屬層少 ......看更多