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Semiconductor Photodetectors - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo
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日期：2024-07-14
“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目： 基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。 計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。 由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......看更多
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